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KemLab 正性光刻膠 KLT 6000 ，適用于 i-Line、寬帶或 g-Line 曝光。

EM Resist SU-8負(fù)性抗蝕劑產(chǎn)品，非常適合半導(dǎo)體應(yīng)用。我們的產(chǎn)品有各種形式和厚度范圍。 典型的SU-8過(guò)程包括以下步驟： 基板準(zhǔn)備 旋涂 松弛時(shí)間以提高表面均勻度 軟烤 曝光后烘烤 發(fā)展歷程 沖洗并干燥 可選硬烤

公司擁有齊全的納米系列壓印膠材料，熱壓型納米壓印膠、熱塑型納米壓印膠、紫外光固化型納米壓印膠、紫外光固化納米壓印和光刻兩用膠、舉離型傳遞層材料、刻蝕型傳遞層材料、各種與納米壓印技術(shù)相關(guān)的化學(xué)藥品，如模板防粘劑、基片增粘劑等。

SU-8 2000是一種高對(duì)比度，基于環(huán)氧的光致抗蝕劑，設(shè)計(jì)用于微加工和其他微電子應(yīng)用，需要厚，化學(xué)和熱穩(wěn)定的圖像。 SU-8 2000是SU-8的改進(jìn)配方，多年來(lái)已被MEMS生產(chǎn)商廣泛使用。使用更快干燥，極性更大的溶劑系統(tǒng)可改善涂層質(zhì)量并提高工藝產(chǎn)量。 SU-8 2000有十二種標(biāo)準(zhǔn)粘度。通過(guò)單道涂覆工藝可以實(shí)現(xiàn)0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和隨后熱交聯(lián)的部分不溶于液體顯影劑。

SU-8 3000是一種高對(duì)比度，基于環(huán)氧的光刻膠，專為微加工和其他微電子應(yīng)用中， 需要化學(xué)和熱穩(wěn)定的圖像。 SU-8 3000是SU-8和SU-8 2000的改進(jìn)配方，已被廣泛采用 由MEMS生產(chǎn)商使用多年。 SU-8 3000有配制用于改善附著力和降低涂層應(yīng)力。 SU-8 3000的粘度范圍允許膜厚為4至單層涂層厚度為120 µm。

SU-8 2000是一種高對(duì)比度，基于環(huán)氧的光致抗蝕劑，設(shè)計(jì)用于微加工和其他微電子應(yīng)用，需要厚，化學(xué)和熱穩(wěn)定的圖像。 SU-8 2000是SU-8的改進(jìn)配方，多年來(lái)已被MEMS生產(chǎn)商廣泛使用。使用更快干燥，極性更大的溶劑系統(tǒng)可改善涂層質(zhì)量并提高工藝產(chǎn)量。 SU-8 2000有十二種標(biāo)準(zhǔn)粘度。通過(guò)單道涂覆工藝可以實(shí)現(xiàn)0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和隨后熱交聯(lián)的部分不溶于液體顯影劑。