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KemLab 正性光刻膠 KLT 6000 ，適用于 i-Line、寬帶或 g-Line 曝光。

EM Resist SU-8負性抗蝕劑產品，非常適合半導體應用。我們的產品有各種形式和厚度范圍。 典型的SU-8過程包括以下步驟： 基板準備 旋涂 松弛時間以提高表面均勻度 軟烤 曝光后烘烤 發展歷程 沖洗并干燥 可選硬烤

公司擁有齊全的納米系列壓印膠材料，熱壓型納米壓印膠、熱塑型納米壓印膠、紫外光固化型納米壓印膠、紫外光固化納米壓印和光刻兩用膠、舉離型傳遞層材料、刻蝕型傳遞層材料、各種與納米壓印技術相關的化學藥品，如模板防粘劑、基片增粘劑等。

SU-8 2000是一種高對比度，基于環氧的光致抗蝕劑，設計用于微加工和其他微電子應用，需要厚，化學和熱穩定的圖像。 SU-8 2000是SU-8的改進配方，多年來已被MEMS生產商廣泛使用。使用更快干燥，極性更大的溶劑系統可改善涂層質量并提高工藝產量。 SU-8 2000有十二種標準粘度。通過單道涂覆工藝可以實現0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和隨后熱交聯的部分不溶于液體顯影劑。

SU-8 3000是一種高對比度，基于環氧的光刻膠，專為微加工和其他微電子應用中， 需要化學和熱穩定的圖像。 SU-8 3000是SU-8和SU-8 2000的改進配方，已被廣泛采用 由MEMS生產商使用多年。 SU-8 3000有配制用于改善附著力和降低涂層應力。 SU-8 3000的粘度范圍允許膜厚為4至單層涂層厚度為120 µm。

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